本文作者:kris

英伟达转向CoWoS-L封装技术,以加速 Blackwell GPU的生产

kris 2025-01-17 22:27:29 5
英伟达转向CoWoS-L封装技术,以加速 Blackwell GPU的生产摘要: 随着英伟达加快其多芯片Blackwell系列产品的生产,其将更多地采用CoWoS - L封装技术,同时减少CoWoS - S封装技术的使用,这一消息...
随着英伟达加快其多芯片Blackwell系列产品的生产,其将更多地采用CoWoS - L封装技术,同时减少CoWoS - S封装技术的使用,这一消息得到了公司首席执行官黄仁勋的确认。

英伟达转向CoWoS-L封装技术,以加速 Blackwell GPU的生产

“当我们转向Blackwell系列时,我们将主要使用CoWoS - L封装技术。”黄仁勋在一场新闻发布会上表示,“当然,我们仍在生产Hopper系列GPU,Hopper将继续使用CoWoS - S封装技术。我们还将把原本用于CoWoS - S的产能转移到CoWoS - L上。所以,这并不是在减少产能,而是在增加CoWoS - L的产能。”

台积电的CoWoS - S是一种高端的2.5D封装技术,利用硅中介层来连接系统封装中的多个小芯片。这项技术对于英伟达基于Ampere架构的A100 GPU以及基于Hopper架构的H100 GPU(包括它们的衍生产品)来说已经足够出色,这些GPU都连接着高带宽存储器(HBM)。然而,基于Blackwell架构的英伟达B100和B200GPU需要两个计算芯片,并且这两个芯片之间需要以10TB / s的带宽进行互连。这正是得益于台积电的CoWoS - L技术,该技术采用了局部硅互连(LSI)桥和有机中介层,后者充当再分配层(RDL)的角色。

英伟达的B100和B200 GPU曾存在一个影响产量的设计问题,据报道,该公司通过重新设计顶层的全局布线金属层,并对Blackwell GPU硅片进行调整,成功解决了这一问题。因此,公司现在能够以可预测的产量生产带有两个计算芯片的GPU。

为了满足大众市场的需求,据传英伟达正在研发其B200A产品,该产品将采用单片的B102硅芯片,并配备144GB(四堆栈)的HBM3E存储器,同时使用经过验证的CoWoS - S技术进行封装。预计该产品的性能将显著低于B100和B200,但其价格自然也会更便宜。不过,未经证实的传闻称,英伟达计划优先发展双计算芯片的B100、B200,最终还有B300GPU,而不是所谓的B200A。

英伟达转向CoWoS-L封装技术,以加速 Blackwell GPU的生产

据报道,台积电不会受到这些变化的显著影响。这家台湾半导体制造商计划将CoWoS - L作为其主流解决方案,这与英伟达计划将CoWoS - L作为其主导解决方案相一致。此外,从B200到B300的生产转变涉及相同的前端工艺(FEoL),这将提高生产效率并减少潜在的停机时间。台积电预计人工智能/高性能计算(AI / HPC)将是其2025年增长的关键驱动力。

CoWoS - S和CoWoS - L是由台积电制造的封装技术。CoWoS - S,即带有硅中介层的芯片在晶圆上在基板上,提供高密度互连和深沟槽电容器,覆盖在大面积硅中介层区域,以容纳逻辑芯片组和HBM存储器等组件。

CoWoS - L将CoWoS - S与InFO(集成扇出技术)相结合,当使用带有LSI(局部硅互连)芯片的中介层进行芯片间互连时,提供了更大的灵活性。这些桥接是设计的关键部分,也是多芯片Blackwell GPU能够保持其10TB / s NVLink互连的关键所在。

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