铠侠第10代332层、4.8 GB/s的3D NAND闪存比其第8代快33%

在2025年国际固态电路会议（ISSCC）期间，铠侠与闪迪合作，公布了其第十代3D NAND闪存技术。与前几代产品相比，这种新型闪存在性能上提升了高达33%，并且在比特密度、接口速度和能效方面都有显著提升。

铠侠的新型3D闪存采用了CMOS直接键合阵列（CBA）技术，通过将CMOS晶圆和单元阵列晶圆（两者分别制造）进行键合来实现。这并不是新技术，因为铠侠第八代 3D NAND产品也曾采用过。然而，更大的亮点是新的接口标准Toggle DDR6.0，它允许NAND接口速度达到4.8 Gb/s。铠侠表示，由于内存层数的增加（从第八代的218层增加到322层，增加了38%），其速度比第八代技术快了33%。尽管距离公司2027年实现1000层3D NAND的目标仍有差距，但322层的3D NAND已经是一个令人印象深刻的成就。铠侠声称，这种 322层的3D NAND将比特密度提高了59%。   

新型NAND还采用了功率隔离低抽头终止技术（PI-LTT），进一步将输入功率降低了10%，输出功率降低了34%。铠侠表示，这种对能效的关注是由于人工智能技术对电力需求的增加。

铠侠首席技术官宫岛秀（Hideshi Miyajima）表示：“随着人工智能技术的普及，生成的数据量预计将大幅增加，现代数据中心对提高能效的需求也将随之增加。”    

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