摘要：
前言 PCIe5.0的固态我其实很早就用过了，比较可惜的是，群联的E26主控还只是个半血，和PCIE4.0的固态拉开的差距并不大，个人感觉只... 前言
PCIe5.0的固态我其实很早就用过了，比较可惜的是，群联的E26主控还只是个半血，和PCIE4.0的固态拉开的差距并不大，个人感觉只能算是PCIE4.5。而最近，市面上唯一有产品的满血主控慧荣SM2508上线了，宏碁也拿到了这款主控并上市了他们的第一款5.0固态宏碁掠夺者GM9000神舆，那我们就来看看这款真正意义上的5.0满血固态的性能如何吧？
开箱
外包装这块，这次还是传统的黑色配色，印有产品的渲染图，下方则是产品型号和这次的重点
PCIe5.0的标签。
固态有防静电盒装着，预防路上的震动和静电造成的到手坏，另外增送了一颗螺丝，方便装机时的使用。
固态正面有散热贴纸，上面是宏碁掠夺者的logo，掠夺者是宏碁的高端系列。
这次的贴纸不是单纯的贴纸，应该是带了石墨烯铜箔散热贴，为了更好的散热。
撕下贴纸看下主控，主控自然就是这颗SM2508,支持NVMe 2.0协议，内建8个最高支持3600 MT/s速率闪存通道，理论顺序读取和顺序写入速度最高分别为14.5 GB/s和14 GB/s，随机读取和随机写入最高均可达到2.5M IOPS，支持3D TLC/QLC NAND闪存，SM2508采用了大核+小核的处理架构，能实现更高的并行度、更低的功耗和更高的频率，从而达到兼顾性能与功耗的均衡。在制造工艺上，使用的是台积电（TSMC）的6nm，相比12nm工艺能够降低45%功耗。同时还结合了慧荣科技智能功耗管理，通过专属模块智能调整运行时的功耗，SM2508主控芯片的功耗为3.5W。
GM9000神舆是带物理缓存的，型号为BWCC2X32N2A-16G-X，我这块是2T的版本，所以缓存的容量是两个G，如果是1T的版本那就是一个G，当然有物理缓存的固态的各方面性能还是要强上一些的。
闪存颗粒型号为BWT2BN888-001T,最后的1T应该是说颗粒的容量，闪存颗粒为镁光第六代232层3D NAND TLC颗粒。
本次测试的主板为蓝宝石b650M脉动，第一条M.2支持PCIe5.0 ，CPU为9600X，现在PCIe5.0的门槛是真的低，随便什么板子只要不是最低型号就支持PCIe5.0。
固态安装好之后，我们就开始测试。
测试
首先，先看一下基本信息，传输模式5.0*4，nvme2.0标准，OK数据没有问题。
本次使用了日常拍摄的素材当做日常使用场景，通过复制素材看看固态实际的使用情况，素材大小为128个G。
空盘
首先是空盘状态下，固态的情况。
先跑个分，空盘状态下，读为14244.25MB/s，写为13253.61MB/s。
HDTUN里，写上200个G的混合文件，可以看到写到满也没有掉速。
空盘复制的速度大概是在3.0GB/s左右，没有任何掉速，直接完成。
温度方面，在跑的同时用热成像看一下，在没有散热装甲的情况下，温度大概是在70度左右，最热的地方在主控上，72度左右，居然比某些4.0的固态还要凉快太多。
半盘
将GM9000神舆填充到一半的状态，进行半盘测试。
在跑分上读为14068.75MB/s，写为12976.82MB/s,。
HDTUNE同样跑了200G的混合，也是没有任何掉速的，全速直到结束。
半盘复制也是在3.01GB/s的情况下跑完的，没有任何掉速的情况。
热成像看下温度，依然是70度左右。
满盘
将GM9000神舆填充至还剩300G的情况下，进行测试。
跑分依然没什么问题，读为14113.63MB/s，写为13196.32MB/s,
HDTUNE只能跑100G了，所以跑了一下，在前50G的时候应该是触发垃圾回收机制了，速度稍微有了一些降低，但是回收完毕之后就满速了。
但在实际复制素材的时候倒是没有任何问题，直接满速到结束。
热成像看了下问题，主控温度稍微高了1-2度，毕竟满盘，稍微高1-2度我认为就是没高（bushi）。
总结
作为第一块满血方案的5.0固态，GM9000神舆还是非常惊艳的，之前一直认为5.0的温度会非常高，可能会100度左右，不加散热片可能不能用，但实际看下来，不加散热片也就70度左右，不加完全能用，甚至比某些4.0还要凉快，这样笔记本也是可以使用的了，这让我挺意外的。另外复制大文件的效率在55.0固态上可以说是大大的提升，实际使用上至少要比4.0块50%起步，比如拍摄大量的8KRAW素材，素材的容量可能要1T-2T，用这块GM9000神舆能大大减少导入的时间，但是现在就一个问题，和上一代相比，性能大幅提升，并且和上一代半血的5.0固态不同，这次是真的性能翻倍了，所以性能增加了，上市价格就稍微高了一些。如果你刚需减少导入素材的时间的话，可以直接入手了，另外正在观望新板子换什么固态的也不妨购入体验一下，肯定是要比4.0快上很多的。
