摘要：
据 ZDNET (韩国) 发布的消息，存储器制造商三星电子已经决定从中国 NAND 制造商长江存储 (Yangtze Memory) 租用混合键合专... 据 ZDNET (韩国) 发布的消息，存储器制造商三星电子已经决定从中国 NAND 制造商长江存储 (Yangtze Memory) 租用混合键合专利，该专利属于新型尖端封装技术。
混合键合 (Hybrid Bonding) 主要用于芯片的垂直或 3D 堆叠，其显著特点在于无凸块，从基于焊料的凸块技术转向直接铜对铜连接，顶部 die 和底部 die 齐平，这种封装技术有助于集成多个半导体元件以创造高密度和高性能设备。
三星电子目前已经解决开发下一代 NAND 的关键挑战，而三星电子与长江存储签署 3D NAND 混合键合专利许可协议很可能是用来规避潜在的专利许可风险。
单纯从专利角度来说无论是三星电子、SK 海力士还是美光，只要这些专利是长江存储持有的，未来这些存储器制造商就绕不开长江存储的专利，毕竟这份专利牵涉高密度存储的封装方式，而市场肯定要向高密度和高性能过渡。
三星电子从自己的第 10 代 NAND 开始引入了多项新技术，例如 W2W 晶圆到晶圆键合混合至关重要，混合键合省略的凸块可以缩短电气路径并提高性能和散热特性，尤其是 W2W 的键合是整块晶圆而不是芯片。
中国用户或许对混合键合比较熟悉，不熟悉？那应该听过长江存储的晶栈 (Xtacking)吧？，长江存储从大约 4 年前就在积极应用 3D NAND 混合键合技术，长江存储将其命名为晶栈。
长江存储还在初期通过许可协议持有美国科技公司 Xperi 涉及混合键合相关的原始专利，之后长江电子积累了大量与 NAND 键合相关的技术专利，这也是为什么说存储器制造商都绕不开长江存储的原因。
目前混合键合相关的大部分专利都在 Xperi、长江存储和台积电手里，所以未来韩国这些存储器制造商想要制造高密度和高性能的 NAND，都需要购买这些专利许可。
预计 SK 海力士很快也会与长江存储签署类似的专利许可协议，因为 SK 海力士正在积极开发 400 级 NAND 产品并在该产品中适合混合键合技术提高成本效率和产能。
源于蓝点网 作者:山外的鸭子哥
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