美光宣布1γ DRAM开始出货，16Gb DDR5数据传输速率可达 9200MT/s

美光科技股份有限公司推出了一款16Gb DDR5 DRAM，采用全新的1γ（1-gamma）第六代（10 纳米级）DRAM节点制造工艺，并首次使用极紫外光刻（EUV）技术。该款16Gb DDR5产品的数据传输速率可达9200MT/s，与前代产品相比，速率提升高达15%，功耗降低超过20%。美光表示，其1γ DRAM节点计划逐步整合至美光内存产品组合中，以满足AI产业对高性能、高能效内存解决方案日益增长的需求。

随着AI在数据中心和端侧设备的普及，用户对内存的需求达到了前所未有的高度。美光迈向1γ DRAM 节点，将助力客户应对亟待解决的核心挑战：

基于1γ节点的DRAM能够支持从数据中心到端侧设备的多种内存产品实现计算扩展，满足未来 AI工作负载的需求；美光1γ节点采用下一代高K金属栅极CMOS技术，结合设计优化，功耗降低了20% 以上，并实现更优的散热；美光1γ节点采用EUV光刻技术，通过设计优化和制程创新，单片晶圆的容量密度产出较上一代提升30%以上，实现更高效的内存供应扩展能力。   

美光1γ DRAM节点的创新得益于CMOS 技术的进步，包括下一代高K金属栅极技术，它提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计以及更小的特征尺寸，从而带来功耗降低和性能扩展的双重优势。此外，通过采用EUV光刻技术，1γ节点利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。同时，通过在全球各制造基地开发 1γ 节点，美光可为行业提供更先进的技术和更强的供应韧性。

1γ 节点作为未来产品的基石，将被全面整合到美光的内存产品组合中：基于1γ的DDR5内存解决方案为数据中心提供高达15%的性能提升，增强能效，并支持服务器性能的持续扩展，使数据中心能够在未来的机架级功耗和散热设计中实现优化。1γ低功耗DRAM解决方案可提供更高的能效及带宽，提升端侧AI解决方案如AI PC、移动设备和汽车等的用户体验。   

   

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