摘要：
不久前有消息称由于 Intel 18A 工艺的进展不顺，且良率水平在第三季度也不会有所改善，将会导致 Panther Lake 的发布时间推迟，从而... 不久前有消息称由于 Intel 18A 工艺的进展不顺，且良率水平在第三季度也不会有所改善，将会导致 Panther Lake 的发布时间推迟，从而影响英特尔的收入和利润表现。
针对这一消息，英特尔给出了官方回应，英特尔投资者关系副总裁 John Pitzer 在摩根士丹利 TMT 会议上表示：“Panther Lake 仍按计划于今年下半年发布，发布时间并未改变，我们对目前的进展非常有信心。”
英特尔称当前 Panther Lake 的良率水平甚至比同期 Meteor Lake 开发阶段的表现还要略胜一筹。几周前有技术论文指出， Intel 18A 制程的 SRAM 密度表现已与台积电 N2 工艺相当。虽然技术比较存在多种维度参数，但总体而言，英特尔认为 Intel 18A 的水平能够对标台积电的 N3 或者 N2。
通常情况下，英特尔的移动芯片在发布和 OEM 产品上市之间存在数周的时间，2023 年下半年发布的 Meteor Lake 直到 2024 年才实现规模量产，去年下半年推出的 Lunar Lake 也将在今年实现量产。Panther Lake 在今年下半年发布后，也需要一定的时间才能够真正实现量产并帮助改善英特尔的整体利润率。
此前，在 2024 年第四季度和全年财报电话会议上，英特尔临时联合首席执行官兼英特尔产品首席执行官 Michelle Johnston Holthaus 表示：我们预计在 2025 年下半年推出采用 Intel 18A 制程工艺的旗舰产品 Panther Lake，进一步强化客户端产品路线图。英特尔产品作为 Intel 18A 的首批量产客户，我们看到了英特尔代工在性能和良率方面的持续进步，并期待在 2025 年下半年正式投产，展现我们一流的芯片设计与制程工艺优势。2026 年，客户端业务将更加令人振奋——Panther Lake 将实现规模化量产，同时我们将推出下一代客户端产品家族 Nova Lake。
Intel 18A 是英特尔当前最先进的工艺制程，采用 RibbonFET 和业界首创的 PowerVia 背面供电技术，RibbonFET 全环绕栅极 （GAA） 晶体管技术，可实现更高效的电流控制，提升性能的同时降低漏电率，支持更高晶体管密度。PowerVia 背面供电技术将密度和电池利用率提高了 5% 到 10%，与正面电源设计相比，ISO 功率性能提高了 4%。与 Intel 3 工艺相比，芯片密度提升了 30%，每瓦性能提高了 15%。
通过 RibbonFET 和 PowerVia 两大革新，Intel 18A 在性能、能效和集成度上实现跨越，标志着英特尔重返制程技术第一梯队。其目标不仅是满足自身产品需求，更是推动 IDM 2.0 战略，重塑全球半导体制造格局。
本文来自：什么值得买
