摘要：
韩国半导体产业近期面临着诸多困境，其未来走向备受关注。2月24日，韩国媒体ZDNet Korea报道，三星电子已与中国存储芯片厂商达成“混合键合”（... 韩国半导体产业近期面临着诸多困境，其未来走向备受关注。2月24日，韩国媒体ZDNet Korea报道，三星电子已与中国存储芯片厂商达成“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议。这项技术是开发堆叠400多层NAND Flash的关键，三星从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）起，将运用该专利技术进行生产。
除此之外，ZDNET Korea还透露，韩国另一家存储芯片巨头SK海力士在下一代NAND闪存芯片的核心专利方面，也依赖于中国。预计SK海力士也会和中国存储芯片厂商签订相关专利协议。业内人士分析，目前3D NAND混合键合关键专利大多掌握在美国和中国企业手中，三星、SK海力士等韩国半导体企业难以避开中国企业的专利布局。
在市场表现上，市场研究公司Gartner的最新数据显示，三星电子在DRAM和NAND闪存业务上盈利能力下滑，业绩不尽如人意。多重因素的影响，让三星不得不重视自身在专利方面的短板，选择与中国半导体企业合作，以此提升其存储板块的竞争力。
随着中国半导体企业的崛起，韩国半导体企业在专利布局上已处于劣势。集微咨询发布的《2024年中国大陆半导体制造企业专利实力榜单》显示，中芯国际、长鑫存储、长江存储、华虹宏力等企业名列前茅。在国际视野榜单中，长鑫存储和长江存储分别位列第一、第二位，其多元专利布局体现出积极参与国际行业进步的战略眼光。这一趋势表明，中国半导体行业在中美技术紧张的背景下，依然保持了强劲的发展势头。
知识产权法律公司Mathys&squire的报告表明，2023 - 2024年中国专利申请数量大幅增长42%，从32840件增加到46591件，是所有地区中增长最为显著的，超过了包括韩国在内的其他地区。韩国科技评估与规划研究院（KISTEP）的调查也反映出韩国半导体行业的困境。据韩联社23日报道，该研究院的调查显示，韩国在大多数半导体技术领域已被中国超越。
韩国半导体行业的“最后防线”——HBM板块也面临着来自中美两国的压力。美光已经向英伟达的AI芯片供应8层HBM3E芯片，虽然其市场份额还远低于12层HBM3E芯片的领导者SK海力士，但在产品和市场进度上领先于三星电子。近日还有消息称，美光即将量产12层堆栈的HBM，并供应给英伟达。不仅如此，美光还计划在今年晚些时候与SK海力士几乎同步量产16层HBM3E。
此外，3月6日美光突然宣布关键人事任命，其中台积电前董事长刘德音加入董事会备受关注。相关人事变动虽看似为美光带来了技术和财务领域的强援，但这种人才战略也可能引发行业竞争的进一步加剧，甚至导致全球半导体产业格局的不稳定。美光试图借助刘德音的经验推动“存储+逻辑”集成技术的发展，并加速海外产能布局，但这种激进的扩张策略可能面临诸多不确定性，包括技术融合的难度、地缘政治风险以及巨额投资带来的财务压力。
韩国半导体企业在当前复杂的形势下，面临着技术被赶超和市场竞争力下降的双重压力。而对于中国半导体行业来说，这是一个重要的机遇。
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