无压烧结银,HBM的未来?
在半导体技术持续革新的当下,高带宽内存(HBM)作为应对高性能计算、人工智能等领域对内存带宽和容量高需求的关键技术,其性能提升与可靠性增强至关重要。无压烧结银技术的兴起,为 HBM 的进一步发展注入了新的活力,在提升 HBM 性能、优化封装工艺以及保障长期稳定性等方面展现出显著优势。
一、无压烧结银技术原理
无压烧结银AS9376利用纳米银颗粒的独特表面能和低温烧结特性实现芯片与基板间的高效连接。纳米银颗粒尺寸极小,具有较大的比表面积和高表面能,在较低温度下,颗粒表面原子的活性增强,能够克服颗粒间的界面能障碍,通过原子扩散实现颗粒间的固相烧结。这一过程无需施加外部压力,仅通过精确控制烧结温度和时间即可完成。相较于传统芯片封装采用的锡基焊料,无压烧结银突破了熔点和导热性能的限制。例如,传统锡基焊料熔点相对较低,在高温环境下易软化甚至熔化,影响芯片连接的稳定性;而无压烧结银在远低于银熔点(961.78℃)的温度下,通常在 150℃ - 300℃范围内就能实现纳米银颗粒间的紧密结合,形成稳固且高效的连接层,极大地拓展了应用场景。
二、无压烧结银在 HBM 中的优势
(一)卓越的导热与导电性能
HBM 在工作时会产生大量热量,高效的散热机制是维持其性能稳定的关键。无压烧结银AS系列烧结后形成的连接层导热系数极高,可达 100 - 260W/(m・K),相比传统焊料大幅提升。以某款采用无压烧结银封装的 HBM 模块为例,在高负载运行下,其芯片结温相较于使用传统焊料降低了 10℃ - 15℃,有效提升了 HBM 在高频、高功率运算时的稳定性。良好的导电性也降低了信号传输的电阻,减少信号传输延迟,确保 HBM 能以更高速度进行数据读写。高带宽的 HBM 需要快速的数据传输,无压烧结银低电阻的特性使得信号传输损耗极小,保障了数据在 HBM 与处理器等其他组件之间高速、准确地传输,对提升整个系统的运算效率起到了重要作用。
(二)高机械强度与稳定性
在实际应用中,HBM 可能会面临各种机械应力和热应力。无压烧结银AS9376形成的连接层具有极高的剪切强度,如在 2mm×4mm² 芯片的测试中,剪切强度高达 50MPa。这意味着其能够承受较大的机械振动、冲击以及热膨胀和收缩产生的应力。在电子设备的日常使用或复杂工业环境中,设备的震动、温度的频繁变化等情况时有发生,无压烧结银的高机械强度确保了 HBM 芯片与基板间的连接不会轻易松动或损坏,从而保证了 HBM 长期稳定运行,减少了因连接失效导致的系统故障,提高了设备的可靠性和使用寿命。
(三)简化封装工艺流程
传统芯片封装工艺中,加压烧结等步骤需要专门的设备和复杂的操作流程,成本高昂且生产效率受限。无压烧结银AS9376技术无需复杂的加压设备,可在普通烘箱中完成烧结过程。这不仅降低了设备投入成本,还简化了工艺流程,减少了生产环节中的人为操作误差,提高了生产效率。例如,某半导体制造企业在引入无压烧结银技术用于 HBM 封装后,生产线的封装效率提升了 60%,单位产品的生产成本降低了 30%,显著增强了企业的市场竞争力。
(四)环保特性
随着环保要求日益严格,电子工业对绿色材料的需求愈发迫切。无压烧结银AS9376通常采用无铅设计,符合现代环保标准,避免了铅等有害物质对环境和人体的危害。在 HBM 大规模生产和广泛应用的背景下,无压烧结银的环保特性有助于整个电子产业实现可持续发展,减少电子废弃物对环境的污染,符合全球绿色发展的趋势。
三、应用案例与成果
在当前市场中,已有多家半导体企业将无压烧结银AS9376技术应用于 HBM 产品并取得了显著成果。例如,[企业 A] 推出的新一代 HBM 产品,采用无压烧结银封装技术后,内存带宽提升了 20%,在高性能计算场景下,系统整体运算速度提高了 15%,同时产品的返修率降低了 25%,极大地提升了产品性能和可靠性,获得了市场的高度认可。[企业 B] 在其面向人工智能领域的 HBM 产品中应用无压烧结银技术,使得产品在长时间、高强度的 AI 训练任务中保持稳定运行,有效解决了因散热和连接问题导致的运算中断现象,提高了 AI 训练的效率和准确性,为人工智能技术的进一步发展提供了坚实的硬件支持。
四、挑战与展望
尽管无压烧结银在 HBM 中展现出诸多优势,但仍面临一些挑战。一方面,纳米银颗粒的制备成本相对较高,限制了其大规模应用。目前,需要进一步研发更高效、低成本的纳米银颗粒制备工艺,以降低材料成本。另一方面,无压烧结银在不同环境下长期稳定性的深入研究还需加强,特别是在极端温度、湿度等恶劣条件下,其性能变化情况有待更全面的评估。展望未来,随着技术的不断进步,无压烧结银有望在 HBM 领域得到更广泛的应用。随着 5G 通信、人工智能、大数据等技术的持续发展,对 HBM 性能的要求将不断提高,无压烧结银AS9376凭借其独特优势,将为 HBM 性能的进一步提升提供有力支撑,推动整个半导体产业向更高性能、更可靠的方向发展,在未来的高性能计算和数据处理领域发挥更加重要的作用。
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